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美国ITC

ITC55100雪崩能量测试仪

ITC55100雪崩能量测试仪, 用于高速测试Mosefet或IGBT单脉冲及重复脉冲雪崩能量。测试电流可以从0.1A到200A以0.1A递加。雪崩电压测试可以达2500V。触屏输入测试条件和控制,可以连接示波器观测测试波形。



ITC5730半导体功率器件动态参数测试系统。可测试N型、P型MOSFET,NPN和PNP Bipolar Transistor,IGBT的开关时间. Trr, Qrr 测试,栅极电荷测试。

ITC55100雪崩能量测试仪,

用于高速测试Mosefet或IGBT单脉冲及重复脉冲雪崩能量。测试电流可以从0.1A到200A以0.1A递加。雪崩电压测试可以达2500V。触屏输入测试条件和控制,可以连接示波器观测测试波形。



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